Analisis terma dan prestasi modul fotovoltan semi-lutsinar yang dipasang pada tetingkap dwi kaca (TDK) telah dikaji. Di dalam TDK terjadi pemindahan haba olakan yang disebabkan oleh perbezaan suhu. Perisian COMSOL digunakan untuk menyelesaikan model matematik dengan empat jenis gas yang berlainan disimulasikan untuk mengisi ruang dalam TDK iaitu udara, argon, kripton dan xenon. Ruang dalam TDK diubah antara 5 hingga 100 mm. Keadaan cuaca di Kuala Lumpur, Malaysia telah digunakan. Modul fotovoltan yang digunakan untuk kajian simulasi ialah jenis silikon amorfus (Si-a). Kajian ini mendapati penggunaan gas xenon dalam ruang TDK memberikan prestasi maksimum dalam mengurangkan beban penyejukan. Ketebalan optimum ruang TDK bergantung kepada jenis gas yang digunakan dan secara umumnya berada dalam julat 10 hingga 20 mm.
Sel suria adalah peranti semikonduktor yang menukar tenaga matahari kepada tenaga elektrik. Sel suria generasi
pertama terdiri dari sel suria silikon (Si). Pada masa ini, hampir 90% daripada pasaran pengeluaran fotovolta (PV)
adalah berdasarkan wafer Si. Ini disebabkan oleh kecekapan dan ketahanan yang tinggi serta jangka hayat yang
lama iaitu selama 30 tahun. Proses pemfabrikasian piawai bagi sel suria Si dimulakan dengan proses pencucian dan
penteksturan wafer Si, difusi Fosforus untuk pembentukan pemancar, pembentukan elektrod atas dan bawah melalui
proses cetakan skrin dan proses pembakaran yang melengkapkan fabrikasi sel suria. Dalam industri, proses piawai
ini dilakukan pada wafer Si jenis-p. Wafer jenis-n pula mempunyai potensi yang tinggi untuk menghasilkan sel suria Si
yang berkecekapan tinggi. Namun, proses untuk menghasilkan sel suria silikon atas Si wafer jenis-n melalui proses yang
lebih rumit dan lama seperti dua peringkat proses difusi menjadikan wafer jenis-p digunakan secara meluas kerana
dapat merendahkan kos pemfabrikasian. Dalam penyelidikan ini, analisis bagi arus-voltan bagi sel suria Si jenis-n yang
difabrikasi menggunakan adaptasi proses fabrikasi piawai bagi wafer Si jenis-p akan dibincangkan. Daripada kajian
simulasi menggunakan perisian PC1D, didapati bahawa kecekapan bagi sel suria jenis-p dan jenis-n yang difabrikasi
dengan kaedah yang sama adalah 19.63% dan 20.16%. Manakala keputusan eksperimen menunjukkan kecekapan
sebanyak 9.44% dan 5.51% bagi sel suria jenis-p dan jenis-n.
Sel suria digunakan untuk menawan foton untuk menjana tenaga. Walau bagaimanapun, penambahbaikan sel diperlukan
untuk meningkatkan jumlah penangkapan foton dan juga untuk meningkatkan kecekapan sel. Ini melibatkan keseluruhan
proses pembuatan sel, dengan proses penyepuhlindapan adalah salah satu daripada langkah penting yang perlu
dioptimumkan. Percetakan perlogaman menggunakan dwi pembakaran merupakan kaedah yang paling biasa digunakan
dalam penghasilan sel suria kristal secara komersial. Aluminium (Al) digunakan pada bahagian belakang sel sebagai
medan permukaan belakang dan penyambung belakang manakala perak (Ag) dicetak pada bahagian hadapan sebagai
grid pemungut. Proses dwi pembakaran bagi komponen ini adalah penting dalam menentukan kecekapan sel. Oleh itu,
dalam kajian ini, rawatan pembakaran telah dikaji dengan menggunakan relau tiub kuarza (QTF) dengan perubahan
suhu pembakaran (700, 750, 800 and 850°C) sebagai satu percubaan untuk mendapatkan kecekapan yang tinggi serta
meningkatkan kesan pemirauan persimpangan Ag. Apabila suhu meningkat, sifat elektrik sel suria dwi-muka juga turut
meningkat. Kebergantungan suhu menunjukkan rintangan pirau yang tinggi disebabkan oleh proses penyejukan yang
pantas selepas proses pembakaran dan seterusnya membawa kepada faktor isi dan kecekapan sel yang tinggi.