In this report, we demonstrate that continuous improvement in XPS instruments and the calibration standards as well
as analysis with standard component-fitting procedures can be used to determine the binding energies of compounds
containing phosphorus and sulfur of different oxidation states with higher confidence. Based on such improved XPS
analyses, the binding energies (BEs) of S2p signals for sulfur of increasing oxidation state are determined to be 166-167.5
eV for S=O in dimethyl sulfoxide, 168.1 eV for S=O2
in polysulfone, 168.4 eV for SO3
in polystyrene sulfonate and 168.8
eV for SO4
in chondroitin sulfate. The BEs of P2p signals show the following values: 132.9 eV for PO3
in triisopropyl
phosphite, 133.3 eV for PO4
in glycerol phosphate, 133.5 eV for PO4
in sodium tripolyphosphate and 134.0 eV for PO4
in sodium hexametaphosphate. These results showed that there are only small increases in the binding energy when
additional oxygen atoms are added to the S-O chemical group. A similar result is obtained when the fourth oxygen or
poly-phosphate environment is added to the phosphorus compound. These BE values are useful to researchers involved
in identifying oxidation states of phosphorus and sulfur atoms commonly observed on modified surfaces and interfaces
found in applications such as biomaterials, super-capacitors and catalysis.
Suis nanoelektromekanikal (NEM) mempunyai persamaan dengan suis konvensional semikonduktor apabila digunakan
sebagai transistor dan penderia walaupun prinsip operasinya berbeza. Perbezaan prinsip operasi suis ini memberikan
kelebihan kepada suis NEM untuk beroperasi dalam persekitaran yang melampau manakala suis konvensional
semikonduktor mempunyai kelebihan daripada segi infrastruktur fabrikasi yang canggih. Dalam kertas ini, kami
mengulas kemajuan terbaru dan potensi teknologi NEM dalam aplikasi pensuisan berdasarkan bahan berasaskan karbon
seperti CNT dan grafin. Kemajuan reka bentuk geometri suis NEM seperti struktur rusuk berlubang, mempunyai kelebihan
daripada segi voltan operasi peranti yang rendah, turut dibincangkan dalam kertas ini. Berdasarkan Kitaran Gemburan
Gartner, teknologi, proses dan produk untuk suis NEM atau hibrid NEM-CMOS berada di takuk berbeza iaitu di jurang
ilusi, cerun pencerahan dan dataran tinggi produktiviti. Kemudian, reka bentuk geometri suis NEM berasaskan bahanbahan
ini diulas dengan lengkap berdasarkan kajian kepustakaan terbaru. Kami mengenal pasti cabaran yang terlibat
dalam proses fabrikasi suis NEM berasaskan CNT dan grafin seperti kebocoran get dan proses litografi yang mencabar.
Kesimpulannya, kami meringkaskan kertas kajian ini kepada beberapa sudut perspektif, pandangan dan peluang pada
masa depan dalam teknologi suis NEM.